ترفندی برای افزایش ترانزیستورها در تراشه های نو

به گزارش سافاری رو، دو شرکت IBM و سامسونگ با ارائه معماری عمودی در چیدن ترانزیستورها، پیروز به افزایش دانسیته ترانزیستورها شدند.

ترفندی برای افزایش ترانزیستورها در تراشه های نو

به گزارش گروه دانشگاه خبرنگاران، دو شرکت IBM و سامسونگ با ارائه معماری عمودی در چیدن ترانزیستورها، پیروز به افزایش دانسیته ترانزیستور ها شده و با این کار پیروز به افزایش دوام شارژ باتری تلفن های همراه به بیش از یک هفته شدند.

آی بی ام و سامسونگ چیپ تازهی را معرفی کردند که می تواند دوام شارژ باتری موبایل شما را تا بیش از یک هفته افزایش دهد. این دو شرکت با هم متحد شده اند تا نوعی ریزتراشه را توسعه دهند که کارآمدتر باشد و این فناوری را یک قدم جلوتر ببرد.

تراشه تازهی که به تازگی معرفی شده است که می تواند انقلابی در این حوزه باشد. این ترانزیستور VTFET (ترانزیستور های اثر میدان انتقال عمودی) نام دارد و می تواند گام بعدی در دنیای فناوری نانو باشد.

این فناوری به لطف همکاری بین IBM و سامسونگ ایجاد شده است. این دو شرکت بزرگ در تحقیقاتی که با ارائه این تراشه تازه به خاتمه رسیده است، دست به دست هم داده اند تا گامی در حوزه ساخت تراشه های تازه بردارند.

مهمترین نکته در خصوص این محصول، ساختار آن است. این محصول با روش تازهی برای چیدن ترانزیستور ها به صورت عمودی ساخته شده است. با این کار، امکان استفاده بهتر از فضا فراهم شده و جریان بهتر انرژی به دست می آید.

به گفته مسئولان دو شرکت، آن ها این کار را برای جایگزینی فناوری فعلی انجام داده اند. در حالی که ترانزیستور ها اکنون به صورت افقی چیده می شوند و فضا های 2 نانومتری را اشغال می نمایند، این فناوری تازه به آن ها اجازه می دهد تا روی هم قرار گیرند.

با این طراحی عمودی، علاوه بر قرار دادن ترانزیستور های بیشتر روی یک تراشه، کارایی بیشتری نیز حاصل می گردد. به گفته این شرکت ها، تراشه های VTFET می توانند بهبودی دو برابری در عملکرد یا کاهش 85 درصدی مصرف انرژی ارائه دهند.

قانون مور به ما می گوید که تعداد ترانزیستور هایی که وارد یک تراشه می شوند می تواند هر دو سال یکبار دو برابر گردد. اپل قبلاً از این حد فراتر رفته است و باعث شده است که پردازنده های تازهش چندین میلیون ترانزیستور بیشتر از نسخه های قبلی خود داشته باشند.

به نظر می رسد که این قانون در حال کم رنگ شدن است، در حالی که شما شاید نتوانید اجزای کوچکتر بسازید، اما تراشه VTFET می توانند تعداد ترانزیستور ها را در واحد حجم افزایش دهند. آن ها می توانند ترانزیستور ها را روی هم بگذارند و تعداد و ظرفیت آن ها را به صورت تصاعدی افزایش دهند.

آی بی ام و سامسونگ اطمینان می دهند که باتری های تلفن های همراه با این فناوری می توانند بیش از یک هفته بدون شارژ به جای چند روز دوام بیاورند.

هنوز زمان زیادی وجود دارد تا این فناوری به دست ما برسد، اما این فناوری در حال پیشرفت است.

منبع: خبرگزاری دانشجو
انتشار: 20 بهمن 1400 بروزرسانی: 20 بهمن 1400 گردآورنده: safariro.ir شناسه مطلب: 2066

به "ترفندی برای افزایش ترانزیستورها در تراشه های نو" امتیاز دهید

امتیاز دهید:

دیدگاه های مرتبط با "ترفندی برای افزایش ترانزیستورها در تراشه های نو"

* نظرتان را در مورد این مقاله با ما درمیان بگذارید